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FGY100T65SCDT

IGBT，場(chǎng)截止溝槽，短路額定值，650 V，100 A; ? Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C\n? Positive Temperature Co-efficient for Easy Parallel Operating\n? High Current Capability\n? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.5 V (Typ.) @ IC = 100 A\n? High Input Impedance\n? Fast Switching\n? Short Circuit Rated 5 us\n? Tighten Parameter Distribution\n? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant\n;

Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar, UPS, motor control, ESS and HVAC applications where low conduction and switching losses are essential.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGY100T65SCDT

Field-Stop Trench IGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.5V@IC=100A ·HighSpeedSwitching ·HighCurrentCapability APPLICATIONS ·UPS ·MotorControl ·SolarInverters ·HVAC

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FGY100T65SCDT

絲印：FGY100T65SCDT；Package：TO-247H03；Field Stop Trench IGBT, Short Circuit Rated, 650V, 100A

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FGY100T65SCDT

Package：TO-247-3 變式；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：FS3TIGBT TO247 100A 650V

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FH12-20S-0.5SVA（54）

HRS

HRS

相關(guān)企業(yè)：常州市相凡電子有限公司

HRS

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGY100T65SCDT

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    1.9V @ 15V，100A

  • 開關(guān)能量：

    5.4mJ（開），3.8mJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    84ns/216ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，100A，4.7 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3 變式

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    FS3TIGBT TO247 100A 650V

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
onsemi(安森美)
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更多FGY100T65SCDT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 8:12:00

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