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IRFP15N60L

HEXFETPowerMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFP15N60L

PowerMOSFET

FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ??ExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-freeAvai

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

IRFP15N60L

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IRFP15N60LPBF

SMPSMOSFET

IRF

International Rectifier

IRFP15N60LPBF

PowerMOSFET

FEATURES ?SuperfastBodyDiodeEliminatestheNeedfor ??ExternalDiodesinZVSApplications ?LowerGateChargeResultsinSimpleDriveRequirements ?EnhanceddV/dtCapabilitiesOfferImprovedRuggedness ?HigherGateVoltageThresholdOffersImprovedNoiseImmunity ?Lead(Pb)-freeAvai

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

ISPP15N60CFD

N-ChannelMOSFETTransistor

?DESCRITION ?Ultralowgatecharge ?Highpeakcurrentcapability ?FEATURES ?Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.33? ?Enhancementmode ?FastSwitchingSpeed ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

ISPW15N60CFD

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

IXFH15N60

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFH15N60

HIPERFETPowerMOSFTETs

HiPerFETs ThehIPerFETfamilyofPowerMOSFETsisdesignedtoprovicesuperiordv/dt,performancewhileeliminatingtheneedfordiscrete,faserecoveryfreewheelingrectifiersInaboardrangeofpowerswitchingapplications.

IXYS

IXYS Corporation

IXFH15N60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent:ID=15A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.5Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FGPF15N60UNDF

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，15A

  • 開關(guān)能量：

    370μJ（開），67μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    9.3ns/54.8ns

  • 測試條件：

    400V，15A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220F-3

  • 描述：

    IGBT 600V 30A 42W TO-220F

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
onsemi(安森美)
24+
TO-220F
942
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù)
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ON/安森美
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原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗歡迎詢價
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TO220F
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2023+
TO220F
6000
正品,原裝現(xiàn)貨
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NA
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專業(yè)電子元器件供應(yīng)鏈正邁科技特價代理特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品
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TO-220
30000
原廠渠道長期供應(yīng)
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20+
TO220
5600
樣品可出,原裝現(xiàn)貨
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更多FGPF15N60UNDF供應(yīng)商 更新時間2025-7-26 23:00:00

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