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FGP30N6S2D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FGP30N6S2D |
| 參數(shù)屬性 | FGP30N6S2D 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 45A 167W TO220AB |
| 功能描述 | 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode |
| 封裝外殼 | TO-220-3 |
| 文件大小 |
287.27 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
12 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
| 中文名稱 | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-16 13:28:00 |
| 人工找貨 | FGP30N6S2D價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FGP30N6S2D規(guī)格書詳情
General Description
The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.
特性 Features
? 100kHz Operation at 390V, 14A
? 200kHZ Operation at 390V, 9A
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°C
? Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V
? Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical
? UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ
? Low Conduction Loss
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
FGP30N6S2D
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，12A
- 開關(guān)能量：
55μJ（開），100μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
6ns/40ns
- 測試條件：
390V，12A，10 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
IGBT 600V 45A 167W TO220AB
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
9600 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
TO220 |
7350 |
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23+ |
DIP7 |
69820 |
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N/A |
23+ |
10000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
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TO-220 |
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