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FGH20N60SFDTU-F085分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGH20N60SFDTU-F085
廠商型號

FGH20N60SFDTU-F085

參數(shù)屬性

FGH20N60SFDTU-F085 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3

功能描述

IGBT - Field Stop 600 V, 20 A
IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3

絲印標識

FGH20N60SFDTU

封裝外殼

TO-247 / TO-247-3

文件大小

812.21 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 ON Semiconductor
企業(yè)簡稱

ONSEMI安森美半導體

中文名稱

安森美半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-8-1 23:00:00

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FGH20N60SFDTU-F085價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨

FGH20N60SFDTU-F085規(guī)格書詳情

FGH20N60SFDTU-F085屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導體公司制造生產(chǎn)的FGH20N60SFDTU-F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

描述 Description

Using Novel Field Stop IGBT Technology, ON Semiconductor’s

new series of Field Stop IGBTs offer the optimum performance for

Automotive Chargers, Inverter, and other applications where low

conduction and switching losses are essential.

特性 Features

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 20 A

? High Input Impedance

? Fast Switching

? Qualified to Automotive Requirements of AEC?Q101

(FGH20N60SFDTU?F085)

? These Devices are Pb?Free and are RoHS Compliant

Applications

? Automotive Chargers, Converters, High Voltage Auxiliaries

? Inverters, PFC, UPS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FGH20N60SFDTU-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    430μJ(開),130μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    13ns/90ns

  • 測試條件:

    400V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 600V 40A TO247-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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