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FGD3325G2-F085分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGD3325G2-F085
廠商型號(hào)

FGD3325G2-F085

參數(shù)屬性

FGD3325G2-F085 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 300V DPAK

功能描述

EcoSPARK?2 330mJ 250V, N-Channel Ignition IGBT
IGBT 300V DPAK

絲印標(biāo)識(shí)

FGD3325G2

封裝外殼

TO252 / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

737.27 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

ONSEMI

中文名稱

安森美半導(dǎo)體

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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FGD3325G2-F085規(guī)格書詳情

FGD3325G2-F085屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGD3325G2-F085晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

特性 Features

-SCIS Energy = 330mJ at TJ = 25oC

-Logic Level Gate Drive

-Qualified to AEC Q101

-RoHS Compliant

Applications

-Automotive lgnition Coil Driver Circuits

-Coil On Plug Applications

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGD3325G2-F085

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.25V @ 4V,6A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    800ns/5.1μs

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-252AA

  • 描述:

    IGBT 300V DPAK

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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