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FGB30N6S2DT中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FGB30N6S2DT
廠商型號

FGB30N6S2DT

功能描述

600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode

文件大小

287.27 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-9-1 20:00:00

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FGB30N6S2DT規(guī)格書詳情

General Description

The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.

特性 Features

? 100kHz Operation at 390V, 14A

? 200kHZ Operation at 390V, 9A

? 600V Switching SOA Capability

? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°C

? Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V

? Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical

? UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ

? Low Conduction Loss

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FGB30N6S2DT

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 600V N-Ch IGBT SMPS II Series

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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