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FGAF40N60SMD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號(hào) |
FGAF40N60SMD |
| 參數(shù)屬性 | FGAF40N60SMD 封裝/外殼為TO-3P-3 整包；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF |
| 功能描述 | 600 V, 40 A Field Stop IGBT |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | TO-3PF / TO-3P-3 整包 |
| 文件大小 |
512.539 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
11 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-8-16 11:20:00 |
| 人工找貨 | FGAF40N60SMD價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FGAF40N60SMD規(guī)格書詳情
FGAF40N60SMD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGAF40N60SMD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
General Description
Using novel field stop IGBT technology, ON semiconductor’s
new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum
performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications
where low conduction and switching losses are essential.
特性 Features
? Maximum Junction Temperature : TJ = 175oC
? Positive Temperaure Co-efficient for easy Parallel Operating
? High Current Capability
? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.9 V(Typ.) @ IC = 40 A
? High Input Impedance
? Fast Swiching: EOFF = 6.5 uJ/A
? Tightened Parameter Distribution
? RoHS Compliant
Applications
? Sewing Machine, CNC
? Home Appliances, Motor-Control
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號(hào)：
FGAF40N60SMD
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：
1.9V @ 15V，40A
- 開關(guān)能量：
870μJ（開），260μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：
12ns/92ns
- 測(cè)試條件：
400V，40A，6 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3PF
- 描述：
IGBT FIELD STOP 600V 80A TO3PF
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON(安森美) |
2511 |
TO-3PF |
5904 |
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