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FGAF20N60SMD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGAF20N60SMD
廠商型號

FGAF20N60SMD

參數(shù)屬性

FGAF20N60SMD 封裝/外殼為TO-3P-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PF

功能描述

600 V, 20 A Field Stop IGBT

封裝外殼

TO-3P-3 整包

文件大小

960.45 Kbytes

頁面數(shù)量

10

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時間

2025-8-6 23:00:00

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FGAF20N60SMD規(guī)格書詳情

General Description

Using novel field stop IGBT technology, Fairchild’s new series of field stop 2nd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder and PFC applications where low conduction and switching losses are essential.

特性 Features

? Maximum Junction Temperature : TJ = 175°C

? Positive Temperaure Co-efficient for easy Parallel Operating

? High Current Capability

? Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.7 V(Typ.) @ IC = 20 A

? High Input Impedance

? Fast Swiching: EOFF = 7 uJ/A

? Tightened Parameter Distribution

? RoHS Compliant

Applications

? Sewing Machine, CNC

? Home Appliances, Motor-Control

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGAF20N60SMD

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    452μJ(開),141μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    12ns/91ns

  • 測試條件:

    400V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT FIELD STOP 600V 40A TO3PF

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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