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FGA40T65SHD

IGBT，650 V，40A，場(chǎng)截止溝槽

Fairchild 的場(chǎng)截止第三代 IGBT 新系列采用新型場(chǎng)截止 IGBT 技術(shù)，為光伏逆變器、UPS、焊機(jī)、通訊、ESS 和 PFC 等低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗至關(guān)重要的應(yīng)用提供最佳性能。; ?最大結(jié)溫： TJ=175°C\n?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運(yùn)行\(zhòng)n?高電流能力\n?低飽和電壓： VCE(sat)=1.6 V（典型值） @ IC=40 A\n?部件 100% 經(jīng)過(guò) ILM\n 檢測(cè)\n?高輸入阻抗\n?快速開(kāi)關(guān)\n?緊密的參數(shù)分布\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

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Field Stop Trench IGBT 650 V, 40 A

GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof fieldstop3rdgenerationIGBTsoffertheoptimumperformancefor solarinverter,UPS,welder,telecom,ESSandPFCapplicationswhere lowconductionandswitchinglossesareessential. Features ?MaximumJunc

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Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN

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IGBT，650 V，40A，場(chǎng)截止溝槽

Fairchild 新型場(chǎng)截止第三代 IGBT 采用創(chuàng)新型的場(chǎng)截止 IGBT 技術(shù)，可以提供優(yōu)越的導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)性能，并且易于并聯(lián)運(yùn)行。 該設(shè)備非常適合諧振或軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用，例如感應(yīng)加熱、微波爐等。; ?最大結(jié)溫： TJ = 175°C\n?正溫度系數(shù)，易于并聯(lián)運(yùn)行\(zhòng)n?高電流能力\n?低飽和電壓： VCE(sat)=1.45 V（典型值） @ IC = 40 A\n?部件 100% 經(jīng)過(guò) ILM\n 檢測(cè)\n?高輸入阻抗\n?快速開(kāi)關(guān)\n?緊密的參數(shù)分布\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

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Package：TO-3P-3，SC-65-3；包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN