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FGA120N30D數(shù)據(jù)手冊(cè)分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF

廠商型號(hào) |
FGA120N30D |
參數(shù)屬性 | FGA120N30D 封裝/外殼為T(mén)O-3P-3,SC-65-3;包裝為管件;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 300V 120A 290W TO3P |
功能描述 | 300V PDP IGBT |
封裝外殼 | TO-3P-3,SC-65-3 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名稱(chēng) | 安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司 |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-6 15:09:00 |
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簡(jiǎn)介
FGA120N30D屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由制造生產(chǎn)的FGA120N30D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。
技術(shù)參數(shù)
更多- 產(chǎn)品編號(hào):
FGA120N30DTU
- 制造商:
onsemi
- 類(lèi)別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.4V @ 15V,25A
- 輸入類(lèi)型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類(lèi)型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P
- 描述:
IGBT 300V 120A 290W TO3P
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
22+ |
DO-15 |
48165 |
進(jìn)口原裝!現(xiàn)貨庫(kù)存 |
詢(xún)價(jià) | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-3P |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國(guó)著名電子元器件獨(dú)立分銷(xiāo) |
詢(xún)價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-247 |
6500 |
專(zhuān)注配單,只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
FAIRCHILD |
24+ |
TO-3P |
8866 |
詢(xún)價(jià) | |||
FSC |
21+ |
TO-3P |
200 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢(xún)價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO-3P |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專(zhuān)注配單 |
詢(xún)價(jià) | ||
23+ |
49054 |
##公司主營(yíng)品牌長(zhǎng)期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢(xún)價(jià) | ||||
FSC |
07+ |
TO-3P |
200 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
FSC |
23+ |
TO-3P |
9526 |
詢(xún)價(jià) | |||
FAIRCHILD/仙童 |
17+ |
TO-3P |
31518 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢(xún)價(jià) |