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FFSP2065BDN-F085

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode -?EliteSiC, 20A, 650V, D2, TO-220-3L; ? Max Junction Temperature 175°C\n? Tj = 175°C\n? Avalanche Rated 49 mJ\n? High Surge Current Capacity\n? Positive Temperature Coefficient\n? Ease of Paralleling\n? No Reverse Recovery/No Forward Recovery\n? AEC?Q101 Qualified\n? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant\n;

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new\ntechnology that provides superior switching performance and higher\nreliability compared to Silicon. No reverse recovery current,\ntemperature independent switching characteristics, and excellent\nthermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of\npower semiconductor. System benefits include highest efficiency,\nfaster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and\nreduced system size & cost.

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FFSP2065BDN-F085

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 二極管 - 整流器 - 單 描述：SIC DIODE 650V 20A

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FFSB2065BDN-F085

SiliconCarbideSchottkyDiode

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FFSH2065BDN-F085

SiliconCarbideSchottkyDiode,650V,20A

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    FFSP2065BDN-F085

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單

  • 系列：

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝：

    管件

  • 二極管類型：

    碳化硅肖特基

  • 電流 - 平均整流 (Io)：

    10A

  • 速度：

    無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）

  • 不同?Vr、F 時電容：

    421pF @ 1V，100kHz

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220-3

  • 工作溫度 - 結(jié)：

    -55°C ~ 175°C

  • 描述：

    SIC DIODE 650V 20A

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更多FFSP2065BDN-F085供應(yīng)商 更新時間2025-7-28 14:16:00

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