FFSM1065A分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FFSM1065A |
| 參數(shù)屬性 | FFSM1065A 封裝/外殼為4-PowerTSFN；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單；產(chǎn)品描述：DIODE SBD 650V 4PQFN |
| 功能描述 | Silicon Carbide Schottky Diode 650 V, 10 A |
| 絲印標(biāo)識 | |
| 封裝外殼 | PQFN / 4-PowerTSFN |
| 文件大小 |
467.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
6 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | ONSEMI |
| 中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-9-6 13:24:00 |
| 人工找貨 | FFSM1065A價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FFSM1065A規(guī)格書詳情
FFSM1065A屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的二極管-整流器-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FFSM1065A二極管 - 整流器 - 單單整流器二極管系列產(chǎn)品可用于讓電流僅沿一個方向流動，并且每個器件封裝都恰好實現(xiàn)該功能的一個實例。其他用途的二極管（包括齊納二極管和可變電容二極管）單獨(dú)列在各自的產(chǎn)品系列中，每個器件封裝中包含多個二極管的產(chǎn)品也是如此。
描述 Description
Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes use a completely new
technology that provides superior switching performance and higher
reliability compared to Silicon. No reverse recovery current,
temperature independent switching characteristics, and excellent
thermal performance sets Silicon Carbide as the next generation of
power semiconductor. System benefits include highest efficiency,
faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and
reduced system size and cost.
特性 Features
? Max Junction Temperature 175°C
? Avalanche Rated 47 mJ
? High Surge Current Capacity
? Positive Temperature Coefficient
? Ease of Paralleling
? No Reverse Recovery/No Forward Recovery
? This Device is Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS
Compliant
Applications
? General Purpose
? SMPS, Solar Inverter, UPS
? Power Switching Circuits
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FFSM1065A
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 二極管 - 整流器 - 單
- 包裝：
管件
- 二極管類型：
碳化硅肖特基
- 電流 - 平均整流 (Io)：
11A
- 速度：
無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）
- 不同?Vr、F 時電容：
575pF @ 1V，100kHz
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
4-PowerTSFN
- 供應(yīng)商器件封裝：
4-PQFN（8x8）
- 工作溫度 - 結(jié)：
-55°C ~ 175°C
- 描述：
DIODE SBD 650V 4PQFN
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
PQFN4 |
7350 |
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