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FF450R33T3E3分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書(shū)PDF中文資料

FF450R33T3E3
廠商型號(hào)

FF450R33T3E3

參數(shù)屬性

FF450R33T3E3 封裝/外殼為模塊;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

功能描述

XHP?? module with Trench/Fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode
IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

封裝外殼

模塊

文件大小

778.56 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

15 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

INFINEON

中文名稱

英飛凌

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-11 19:00:00

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FF450R33T3E3規(guī)格書(shū)詳情

FF450R33T3E3屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FF450R33T3E3晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開(kāi)關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊,IGBT 配置為非對(duì)稱式橋; 升壓、降壓和制動(dòng)斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

特性 Features

? Electrical features

- VCES = 3300 V

- IC nom = 450 A / ICRM = 900 A

- Low switching losses

- High DC stability

- High short-circuit capability

- Low VCE,sat

- Tvj,op = 150°C

- Unbeatable robustness

- VCE,sat with positive temperature coefficient

? Mechanical features

- AlSiC base plate for increased thermal cycling capability

- Isolated base plate

- Package with CTI > 600

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FF450R33T3E3B5P2BPSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    XHP?3

  • 包裝:

    散裝

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 配置:

    2 個(gè)獨(dú)立式

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.75V @ 15V,450A

  • 輸入:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻:

    無(wú)

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    AG-XHP100-6

  • 描述:

    IHV IHM T XHP 3 3-6 5K

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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