描述 Description

EconoDUAL? 3?1200 V, 225 A dual IGBT module with TRENCHSTOP? IGBT4, Emitter Controlled HE Diode, NTC and pre-applied Thermal Interface Material.

特性 Features

? Low VCEsat
? Tvj op = 150°C
? Standard Housing

優(yōu)勢:
? Compact modules
? Easy and most reliable assembly
? No plugs and cables required
? Ideal for low inductive system designs

簡介

FF225R12ME4P屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由制造生產(chǎn)的FF225R12ME4P晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。