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FDY2000PZ

雙 P 溝道,指定,PowerTrench? MOSFET,-20V,-0.35A,1.2Ω; ?-350 mA,-20 V\n?RDS(ON) = 1.2 Ω @ VGS = - 4.5 V\n?RDS(ON) = 1.6 Ω @ VGS = - 2.5 V\n?靜電放電(ESD)保護二極管(注3)\n?符合RoHS標準\n;

此雙P溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench工藝設計而成,優(yōu)化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDY2000PZ

Dual P-Channel (-2.5V) Specified PowerTrenchR MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FE-2000CW

Cat5WideBandExtender

FujitsuFujitsu Component Limited.

富士通富士通株式會社

FLP-2000

LOWPASSFILTER

MARKIMICROWAVEMarki Microwave

馬基馬基微波

FM2000

SURFACEMOUNTGLASSPASSIVATEDSILICONRECTIFIERVOLTAGE2000VoltsCURRENT1.0Ampere

RECTRON

Rectron Semiconductor

技術參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    -20

  • VGS Max (V):

    8

  • VGS(th) Max (V):

    -1.5

  • ID Max (A):

    -0.35

  • PD Max (W):

    0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=1600

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=1200

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    1

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    1

  • Ciss Typ (pF):

    100

  • Package Type:

    SOT-563

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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