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FDY102PZ數據手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDY102PZ

功能描述

P 溝道 (-1.5V) 指定 PowerTrench? MOSFET -20V,-0.83A,0.5Ω

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數據手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-22 12:00:00

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FDY102PZ規(guī)格書詳情

描述 Description

此單P溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench工藝設計而成,優(yōu)化了DS(on)@VGS = –1.5 V。

特性 Features

?VGS = -4.5 V,ID = -0.83 A時,最大rDS(on) = 0.5Ω
?VGS = -2.5 V,ID = -0.70 A時,最大rDS(on) = 0.7Ω
?VGS = -1.8 V,ID = -0.43 A時,最大rDS(on) = 1.2Ω
?VGS = -1.5 V,ID = -0.36 A時,最大rDS(on) = 1.8Ω
?HBM ESD保護等級 = 1400kV (注3)
?符合RoHS標準

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術參數

  • 制造商編號

    :FDY102PZ

  • 生產廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-20

  • VGS Max (V)

    :8

  • VGS(th) Max (V)

    :-1

  • ID Max (A)

    :-0.83

  • PD Max (W)

    :0.625

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :700

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :500

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :0.8

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :2.2

  • Ciss Typ (pF)

    :100

  • Package Type

    :SOT-523FL

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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SOT23
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24+
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