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MAX9933BGUA+T	文件：2.03299 Mbytes Page：16 Pages	2MHzto1.6GHz45dBRF-DetectingControllersandRFDetector	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9933EUA+T	文件：2.03299 Mbytes Page：16 Pages	2MHzto1.6GHz45dBRF-DetectingControllersandRFDetector	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9933EUA+T	文件：268.2 Kbytes Page：16 Pages	2MHzto1.6GHz45dBRF-DetectingControllersandRFDetector	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MAX9933EUA+T	文件：232.46 Kbytes Page：15 Pages	2MHzto1.6GHz45dBRF-DetectingControllersandRFDetector GeneralDescription TheMAX9930–MAX9933low-cost,low-powerlogarithmicamplifiersaredesignedtocontrolRFpoweramplifiers(PA)andtransimpedanceamplifiers(TIA),andtodetectRFpowerlevels.Thesedevicesaredesignedtooperateinthe2MHzto1.6GHzfrequencyrange. Features ?	MaximMaxim Integrated Products 美信美信半導(dǎo)體	Maxim
MY9933	文件：86.16 Kbytes Page：1 Pages	3ChannelsConstantCurrentLEDDriverWithSingle-lineAddressingDMX512ProtocolandDifferentialInterface	MY-SEMIMY-SEMI INC. 明陽半導(dǎo)體臺灣明陽半導(dǎo)體股份有限公司	MY-SEMI
MY9933SC	文件：86.16 Kbytes Page：1 Pages	3ChannelsConstantCurrentLEDDriverWithSingle-lineAddressingDMX512ProtocolandDifferentialInterface	MY-SEMIMY-SEMI INC. 明陽半導(dǎo)體臺灣明陽半導(dǎo)體股份有限公司	MY-SEMI
NDS9933	文件：191.77 Kbytes Page：8 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDS9933A	文件：191.77 Kbytes Page：8 Pages	DualP-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription ThisP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorisproducedusingFairchild’sproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandprovidesuperiorswitchingperformance.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
NDS9933A-NL	文件：1.0589 Mbytes Page：9 Pages	DualP-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
NI9933	文件：1.34575 Mbytes Page：5 Pages	CSeriesAnalogOutputModules	NI National Instruments Inc.	NI

技術(shù)參數(shù)

Pb-free：
Pb
Halide free：
H
Status：
Active
Channel Polarity：
P-Channel
Configuration：
Dual
V(BR)DSS Min (V)：
-20
VGS Max (V)：
8
VGS(th) Max (V)：
-1.5
ID Max (A)：
-3.8
PD Max (W)：
2
RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=105
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
Q1=Q2=75
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
7
Ciss Typ (pF)：
600
Package Type：
SOIC-8

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