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FDS8962C數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號(hào)

FDS8962C

功能描述

Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-8-14 14:04:00

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技術(shù)參數(shù)

  • 型號(hào):

    FDS8962C

  • 功能描述:

    MOSFET SO8 DUAL NCH & PCH POWER TRENCH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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進(jìn)口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十
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