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FDS8958 | NP-Channel MOSFET Features N-Channel VDS(V)=30V ID=7A(VGS=10V) RDS(ON) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司 | UMW | |
FDS8958 | Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | |
雙 N 和 P 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V; ?Q1: N溝道7.0A,30VRDS(ON) =0.028 Ω @ VGS =10 VRDS(ON)=0.040 Ω @ VGS = 4.5 V\n?Q2: P溝道-5A,-30V RDS(ON) = 0.052 Ω @ VGS = -10 V RDS(ON) = 0.080 Ω @ VGS = -4.5 V\n?快速開關(guān)速度\n?高功率和處理能力,采用廣泛使用的表面貼裝封裝\n; 這些雙通道N和P溝道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Dual N and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription ThesedualN-andP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateressitanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. F | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
絲印:FDS8958;Package:SOP-8;NP-Channel MOSFET Features N-Channel VDS(V)=30V ID=7A(VGS=10V) RDS(ON) | UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友臺(tái)半導(dǎo)體廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司 | UMW | ||
雙 N 和 P 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V; ? Q1:N溝道\n?7.0 A、30 V、RDS(ON) = 0.040?(VGS = 4.5 V) Q2:P-溝道\n?快速開關(guān)速度\n?采用廣泛使用的表面貼裝封裝,具有高功率和高電流處理能力\n?符合 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n; 這些雙通道N和P溝道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
雙 N 和 P 溝道 PowerTrench? MOSFET 30V; ? Q1: N溝道 \n? 最大值 RDS(on) = 39mΩ(VGS = 4.5V,ID = 5.2A)Q2: P溝道\n? HBM靜電放電保護(hù)等級(jí)為>3.5 kV\n? 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n; 這些雙N和P溝道增強(qiáng)模式功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。 這些器件非常適合需要線路內(nèi)低功率損耗和快速開關(guān)的低電壓和電池供電應(yīng)用。 | ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司 | ONSEMI | ||
Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | ||
Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild |
技術(shù)參數(shù)
- Pb-free:
Pb
- Halide free:
H
- Status:
Active
- Channel Polarity:
Complementary
- Configuration:
Dual
- V(BR)DSS Min (V):
±30
- VGS Max (V):
±20
- VGS(th) Max (V):
± 3.0
- ID Max (A):
N
- PD Max (W):
2
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):
N
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):
N
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):
N
- Ciss Typ (pF):
N
- Package Type:
SOIC-8
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
04+ |
SOP8 |
1200 |
全新原裝絕對(duì)自己公司現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOP-8 |
9555 |
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
24+ |
SOP-8 |
505032 |
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系 |
詢價(jià) | ||
FSC |
10+ |
SOP8 |
1937 |
詢價(jià) | |||
4953中性絲印 |
2010 |
SOP8 |
200000 |
全新原裝進(jìn)口自己庫(kù)存優(yōu)勢(shì) |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
2015+ |
SOP8 |
28989 |
專業(yè)代理原裝現(xiàn)貨,特價(jià)熱賣! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
23+ |
NA |
19960 |
只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHIL |
1738+ |
SOP-8 |
8529 |
科恒偉業(yè)!只做原裝正品,假一賠十! |
詢價(jià) | ||
FSC |
24+ |
SOP-8 |
2789 |
全新原裝自家現(xiàn)貨!價(jià)格優(yōu)勢(shì)! |
詢價(jià) | ||
FSC/ON |
23+ |
原包裝原封 □□ |
13074 |
原裝進(jìn)口特價(jià)供應(yīng) 特價(jià),原裝元器件供應(yīng),支持開發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫(kù)存 |
詢價(jià) |
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- PI7C8150B
- PI7C8150DNDE
- PERICOMPI7C8150
- WNS40H100C
- WNS40H100CB
- TD62308
- TD62308APG
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