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FDS6670中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDS6670
廠商型號(hào)

FDS6670

功能描述

100V N-Channel MOSFET

文件大小

423.79 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UMW友臺(tái)半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
UMW
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-8-1 16:32:00

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FDS6670規(guī)格書詳情

特性 Features

Shielded Gate MOSFET Technology

HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)

High performance trench technology for extremely low RDS(on)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package

VDS =100V

ID(at VGS=10V)4.2A

RDS(ON) (at VGS=10V) < 104mΩ

RDS(ON)(at VGS = 4.5V) < 156mΩ

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDS6670

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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