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FDS4559_F085中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDS4559_F085
廠商型號(hào)

FDS4559_F085

功能描述

60V Complementary PowerTrench MOSFET

文件大小

385.94 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

FAIRCHILD Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-8-6 23:00:00

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FDS4559_F085規(guī)格書詳情

General Description

This complementary MOSFET device is produced using Fairchild’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

特性 Features

? Q1: N-Channel

4.5 A, 60 V

RDS(on) = 55 m? @ VGS = 10V

RDS(on) = 75 m? @ VGS = 4.5V

? Q2: P-Channel

–3.5 A, –60 V

RDS(on) = 105 m? @ VGS = –10V

RDS(on) = 135 m? @ VGS = –4.5V

? Qualified to AEC Q101

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDS4559_F085

  • 功能描述:

    MOSFET 60V Complementary PowerTrench MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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