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FDPF7N60NZ

功率 MOSFET，N 溝道，UniFETTM II，600 V，6.5 A，1.25Ω，TO-220F; ?RDS(on) = 1.05? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 3.25A柵極電荷低（典型值：13nC)\n?低 Crss（典型值7pF)\n?100% 經過雪崩擊穿測試\n?提高了 dv/dt 性能\n?改進了 ESD 防護能力\n?符合 RoHS 標準\n?RoHS compliant\n;

UniFETTM II MOSFET 是飛兆半導體的高壓 MOSFET 系列產品，基于平面條形技術和 DMOS 技術。該先進MOSFET系列產品在平面 MOSFET 產品中具有最小的通態(tài)電阻，還可提供卓越的開關性能和更高的雪崩能量強度。此外，內部的柵源 ESD 二極管使 UniFET II MOSFET 產品可承受超過 2kV 的 HBM 沖擊應力。該器件系列適用于開關電源轉換器應用，如功率因數校正(PFC)、平板顯示器(FPD)電視電源、ATX 及燈用電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDPF7N60NZ

N-Channel MOSFET 600V, 6.5A, 1.25?

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDPF7N60NZ

N-Channel UniFETTM II MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDPF7N60NZ

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FDU7N60NZTU

N-ChannelUniFETTMIIMOSFET600V,5.5A,1.25廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FGB7N60UNDF

600V,7AShortCircuitRatedIGBT

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FGP7N60RUFD

600V,7ARUFIGBTCO-PAK

Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FGP7N60RUFD

600V,7ARUFIGBTCO-PAK

Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FGP7N60RUFDTU

600V,7ARUFIGBTCO-PAK

Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)provideslowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforMotorapplicationswhereruggednessisarequiredfeature. Features ?Highspeedswitching ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.95V@IC=7A ?Highin

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FGPF7N60LSD

600V,7ALowSaturationIGBTCO-PAK

Description FairchildsInsulatedGateBipolarTransistors(IGBTs)providesverylowconductionandswitchinglosses.ThedeviceisdesignedforLampapplicationswhereverylowOn-VoltageDropisarequiredfeature. Features ?Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.4V@IC=7A ?Highinputimp

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

技術參數

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    600

  • VGS Max (V)：

    ±25

  • VGS(th) Max (V)：

    5

  • ID Max (A)：

    6.5

  • PD Max (W)：

    33

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    1250

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    13

  • Ciss Typ (pF)：

    550

  • Package Type：

    TO-220-3 FullPak

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO220F
250
原廠授權代理 價格絕對優(yōu)勢
 詢價
ON/安森美
2410+
TO-220F
12000
原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
 詢價
VBsemi(微碧)
24+
N/A
28630
原裝正品現貨支持實單
 詢價
FAI
17+
TO220
6200
100%原裝正品現貨
 詢價
FAIRCHILD
24+
原廠原封
4000
全新原裝環(huán)保現貨
 詢價
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
三年內
1983
只做原裝正品
 詢價
FAIRCHILD
20+
TO220F
35830
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
FAIRCHILD/仙童
2022+
233
全新原裝 貨期兩周
 詢價
FAIRCHILD
24+
TO220F
9860
原裝現貨/放心購買
 詢價
更多FDPF7N60NZ供應商 更新時間2025-7-29 15:07:00

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