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FDPF045N10A

N 溝道 PowerTrench? MOSFET 100V，67A，4.5mΩ; ?RDS(on) = 3.8m? （典型值）@ VGS = 10V, ID = 100A\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷，QG = 57nC（典型值）\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

此 N 溝道 MOSFET 采用 Fairchild 先進(jìn)的 Power Trench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻并保持卓越開關(guān)性能而定制的。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDPF045N10A

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FDPF045N10A

N-Channel PowerTrench? MOSFET 100V, 67A, 4.5m

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

GT045N10M

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheGT045N10Musesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeused awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

GT045N10MA

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheGT045N10MAusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. AEC-Q101Qualified Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

GT045N10Q

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

Description TheGT045N10Qusesadvancedtrenchtechnologyto provideexcellentRDS(ON),lowgatecharge.Itcanbeusedin awidevarietyofapplications. Application lPowerswitch lDC/DCconverters

GOFORDGOFORD SEMICONDUCTOR

谷峰半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    100

  • VGS Max (V)：

    ±20

  • VGS(th) Max (V)：

    4

  • ID Max (A)：

    67

  • PD Max (W)：

    43

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    4.5

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    57

  • Ciss Typ (pF)：

    3961

  • Package Type：

    TO-220-3 FullPak

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
ONSEMI/安森美
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。
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只做原裝正品
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更多FDPF045N10A供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 19:27:00

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