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FDPC8011S

25V，不對稱雙 N 溝道，PowerTrench? Power Clip MOSFET; ? Q1： N溝道\n?在VGS = 4.5 V且ID = 12 A時，最大rDS(on) = 7.3 mΩQ2： N溝道\n?在VGS = 4.5 V且ID = 24 A時，最大rDS(on) = 2.1 mΩ\n?低電感封裝縮短了上升/下降時間，從而減少了開關(guān)損耗\n?MOSFET集成可實(shí)現(xiàn)降低電路電感以及開關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴噪聲的優(yōu)化布局\n;

該器件在雙封裝中包括兩個專用N溝道MOSFET。 該開關(guān)節(jié)點(diǎn)通過內(nèi)部連接，能夠?yàn)橥浇祲恨D(zhuǎn)換器提供簡單的布局和布線。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET? (Q2)旨在提供優(yōu)化的功效。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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New Products, Tips and Tools for Power and Mobile Applications

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FYS-8011

LEDDIGITDISPLAY

FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd.

復(fù)洋寧波復(fù)洋光電有限公司

FYS-8011

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FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd.

復(fù)洋寧波復(fù)洋光電有限公司

FYS-8011A

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FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd.

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FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd.

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FYS-8011AX

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FORYARDNingbo Foryard Optoelectronics Co., Ltd.

復(fù)洋寧波復(fù)洋光電有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V)：

    25

  • VGS Max (V)：

    12

  • VGS(th) Max (V)：

    2.2

  • ID Max (A)：

    Q1

  • PD Max (W)：

    2

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    Q1

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    Q1

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：

    21

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    30

  • Ciss Typ (pF)：

    4335

  • Package Type：

    PQFN-8

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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原裝進(jìn)口特價供應(yīng) 特價，原裝元器件供應(yīng)，支持開發(fā)樣品 更多詳細(xì)咨詢 庫存
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更多FDPC8011S供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:14:00

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