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FDP2614

N 溝道,PowerTrench? MOSFET,200V,62A,27mΩ; ?RDS(on) = 22.9m? (典型值)@ VGS = 10V, ID = 31A\n?快速開關(guān)速度\n?低柵極電荷\n?高性能溝道技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

該 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體的 PowerTrench?工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通阻抗并保持卓越開關(guān)性能而定制的。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDP2614

200V N-Channel PowerTrench MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FDP2614

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

GKN2614

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GKN2614

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

GKR2614

SiliconStandardRecoveryDiode

GENESIC

GeneSiC Semiconductor, Inc.

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    200

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    62

  • PD Max (W):

    260

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    27

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    76

  • Ciss Typ (pF):

    5435

  • Package Type:

    TO-220-3

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
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TO-220
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全新原裝現(xiàn)貨,歡迎詢購!!
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支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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只做原裝正品
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更多FDP2614供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-30 16:33:00