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FDP100N10中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDP100N10
廠商型號

FDP100N10

功能描述

N-Channel PowerTrench? MOSFET

文件大小

454.59 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導體 飛兆/仙童半導體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-5 15:47:00

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FDP100N10規(guī)格書詳情

描述 Description

This N-Channel MOSFET is producedusing Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

特性 Features

? RDS(on) = 8.2mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A

? Fast switching speed

? Low gate charge

? High performance trench technology for extremely low RDS(on)

? High power and current handing capability

? RoHS compliant

Applications

? DC to DC converters / Synchronous Rectification

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDP100N10

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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