FDN359BN中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
FDN359BN |
功能描述 | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
絲印標(biāo)識(shí) | |
封裝外殼 | SOT-23 |
文件大小 |
331.27 Kbytes |
頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
生產(chǎn)廠商 | EVVOSEMI |
中文名稱 | 翊歐 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-9-21 14:07:00 |
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FDN359BN規(guī)格書詳情
General Description
This N-Channel Logic Level MOSFET is produced
using process that has been especially tailored to
minimize on-state resistance and yet maintain
superior switching performance.
These devices are well suited for low voltage and
battery powered applications where low in-line power
loss and fast switching are required.
特性 Features
VDS (V) = 30V
RDS(ON)< 46m? (VGS = 10V)
RDS(ON)
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
FDN359BN
- 功能描述:
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
1846+ |
SOT-23 |
3000 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
友臺(tái) |
23+ |
SOT-23 |
12600 |
優(yōu)勢(shì)原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
ON |
20+ |
SOT-23 |
2281 |
全新原裝公司現(xiàn)貨
|
詢價(jià) | ||
onsemi(安森美) |
2025+ |
SOT-23 |
55740 |
詢價(jià) | |||
ON/安森美 |
21+ |
SOT-23 |
4800 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價(jià) | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23-3 |
986966 |
國(guó)產(chǎn) |
詢價(jià) | ||
友臺(tái)UMW |
25+ |
DIP |
3000 |
國(guó)產(chǎn)替換現(xiàn)貨降本 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2019+PB |
SSOT-3 |
12500 |
原裝正品 可含稅交易 |
詢價(jià) | ||
ON/安森美 |
2021+ |
SOT23 |
9000 |
原裝現(xiàn)貨,隨時(shí)歡迎詢價(jià) |
詢價(jià) | ||
FSC |
25+ |
SOT23-3 |
2207 |
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫(kù)存 本公司只做原裝 可 |
詢價(jià) |