FDN338P中文資料金譽(yù)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
FDN338P |
| 功能描述 | 20 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| 文件大小 |
1.91559 Mbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
4 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | HTSEMI |
| 中文名稱 | 金譽(yù)半導(dǎo)體 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-21 16:11:00 |
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VDS= -20V
RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-1.6A= 115m?
RDS(ON), Vgs@-2.5V, Ids@-1.3A= 155m?
特性 Features
Advanced trench process technology
High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
FDN338P
- 功能描述：
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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原廠封裝 |
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詢價(jià) |
