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FDMS8025S

30V N溝道PowerTrench? SyncFET?; ?VGS = 10 V,ID = 24 A時(shí),最大rDS(on) = 2.8 mΩ\n?VGS = 4.5 V,ID = 21 A時(shí),最大rDS(on) = 3.5 mΩ\n?先進(jìn)的封裝和硅技術(shù)完美融合,實(shí)現(xiàn)了低rDS(on)和高效率\n?SyncFET肖特基體二極管\n?MSL1耐用封裝設(shè)計(jì)\n?100%經(jīng)過UIL測(cè)試\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

FDMS8025S設(shè)計(jì)用于最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 先進(jìn)的硅技術(shù)和封裝技術(shù)完美融合,在保持出色開關(guān)性能的同時(shí),還能提供最低的rDS(on)。該器件具有一個(gè)高效單片肖特基體二極管所具備的額外優(yōu)勢(shì)。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDMS8025S

N-Channel PowerTrench? SyncFETTM

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FH8025

ActiveHeatSink

ALPHAC

Alpha Company Ltd.

FH8025MU

ActiveHeatSink

ALPHAC

Alpha Company Ltd.

FS8025

ActiveHeatSink

ALPHAC

Alpha Company Ltd.

FS8025PU

ActiveHeatSink

ALPHAC

Alpha Company Ltd.

FTM-8025C-FBG

1~2.5Gbps850nmSFF2?5Transceiver

SOURCESource Photonics

索爾思光電索爾思光電(成都)有限公司

HM8025

Thebrightnessofthelightcanbeadjustedasneeded,therangeiswide,andtheoperationissimpleandconvenient.

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司

IPP-8025

OUTLINE,SMDCOUPLERDOC

IPP

Innovative Power Products, Inc.

ISCF8025

SiCN-ChannelMOSFET

FEATURES ·IncreasedSystemSwitchingFrequency ·HigherSystemEfficiency ·IncreasedPowerDensity APPLICATIONS ·Switchingmodepowersupply ·DC-DCconverters ·Industrialmotorcontrol

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    30

  • VGS Max (V):

    20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    49

  • PD Max (W):

    50

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    3.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    2.8

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    11

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    16

  • Ciss Typ (pF):

    2255

  • Package Type:

    PQFN-8

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
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更多FDMS8025S供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-27 14:14:00