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FDS4435BZ

P-ChannelPowerTrench?MOSFET-30V,-8.8A,20m廓

GeneralDescription ThisP-ChannelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrench?processthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistance. ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandloadswitchingapplicationscommoninNotebookComputers

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDS4435BZ

-30VP-ChannelMOSFET

GeneralDescription ThisdeviceiswellsuitedforPowerManagementandload switchingapplicationscommoninNotebookComputersand PortableBatteryPacks. Features VDS(V)=-30V ID=-8.8A(VGS=-10V) RDS(ON)

EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED

翊歐翊歐半導體

FDS4435BZ

P-ChannelPowerTrenchMOSFET-30V,-8.8A,20m?

Features MaxrDS(on)=20m?atVGS=-10V,ID=-8.8A MaxrDS(on)=35m?atVGS=-4.5V,ID=-6.7A ExtendedVGSSrange(-25V)forbatteryapplications HBMESDprotectionlevelof±3.8KVtypical(note3) HighperformancetrenchtechnologyforextremelylowrDS(on) Highpowerand

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDS4435BZ-NL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

FDS4435-NL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

FQ4435Q

Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheFQ4435Qusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellent RDS(on),shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandultra-lowgate resistance.ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebook CPUcorepowerconversion. APPLICATIONS BatteryS

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

FQ4435SQ

Plastic-EncapsulateMOSFETS

DESCRIPTION TheFQ4435SQusesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR shoot-throughimmunity,bodydiodecharacteristicsandltra-lowgateresistance. ThisdeviceisideallysuitedforuseasalowsideswitchinNotebookCPUcorepowerconversion. APPLICATIONS BatterySwitch L

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

FS4435

SingleP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

FortuneFortune Semiconductor Corp.

富晶富晶電子股份有限公司

FTK4435

HighPowerandcurrenthandingcapability

FS

First Silicon Co., Ltd

G4435SS

P-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET

DIODESDiodes Incorporated

美臺半導體

技術參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -25

  • VGS Max (V)：

    25

  • VGS(th) Max (V)：

    -3

  • ID Max (A)：

    -18

  • PD Max (W)：

    39

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    37

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：

    20

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    18

  • Ciss Typ (pF)：

    1540

  • Package Type：

    PQFN-8

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
NK/南科功率
DFN5X6
2255
國產(chǎn)南科平替供應大量
 詢價
FAIRCHILD
24+
原廠原封
6523
進口原裝公司百分百現(xiàn)貨可出樣品
 詢價
ONSemiconductor
24+
NA
3000
進口原裝正品優(yōu)勢供應
 詢價
FAIRCHILD
23+
SMD
98
原裝正品--可開增值稅發(fā)票量大可訂貨
 詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
 詢價
FAIRCHILD
20+
D2PAK
65790
原裝優(yōu)勢主營型號-可開原型號增稅票
 詢價
Fairchild
1930+
N/A
3889
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ON(安森美)
2447
PQFN-8
105000
3000個/圓盤一級代理專營品牌!原裝正品,優(yōu)勢現(xiàn)貨,
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ON
1809+
QFN-8
3675
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Fairchild(飛兆/仙童)
23+
NA
20094
正納10年以上分銷經(jīng)驗原裝進口正品做服務做口碑有支持
 詢價
更多FDMS4435BZ供應商 更新時間2025-7-27 14:01:00

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