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FDMS3602AS數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMS3602AS

功能描述

不對稱雙 N 溝道,PowerTrench? 功率級 MOSFET,25V

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-11 23:01:00

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FDMS3602AS規(guī)格書詳情

描述 Description

該器件在雙PQFN封裝中包括兩個專用N溝道MOSFET。 該開關(guān)節(jié)點通過內(nèi)部連接,能夠為同步降壓轉(zhuǎn)換器提供簡單的布局和布線。 控制MOSFET (Q1)和同步SyncFET (Q2)旨在提供優(yōu)化的功效。

特性 Features

? Q2: N 溝道
?最大值 rDS(on) = 8.5 mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 14 A 時)Q2: N 溝道
?低電感封裝縮短了上升/下降時間,從而減少了開關(guān)損耗
?MOSFET集成可實現(xiàn)降低電路電感以及開關(guān)節(jié)點振鈴噪聲的優(yōu)化布局
?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)

應(yīng)用 Application

? 服務(wù)器

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMS3602AS

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Dual

  • V(BR)DSS Min (V)

    :25

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3

  • ID Max (A)

    :Q1: 15.0

  • PD Max (W)

    :Q1:2.2

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :Q1: 8.5

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :Q1: 5.6

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :22

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :21

  • Ciss Typ (pF)

    :3260

  • Package Type

    :PQFN-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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