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FDMF6707B數(shù)據(jù)手冊(cè)集成電路(IC)的全半橋驅(qū)動(dòng)器規(guī)格書(shū)PDF

PDF無(wú)圖
廠商型號(hào)

FDMF6707B

參數(shù)屬性

FDMF6707B 封裝/外殼為40-PowerTFQFN;包裝為卷帶(TR);類別為集成電路(IC)的全半橋驅(qū)動(dòng)器;FDMF6707B應(yīng)用范圍:同步降壓轉(zhuǎn)換器;產(chǎn)品描述:MODULE DRMOS 50A 300KHZ 40PQFN

功能描述

Extra-Small, High-Performance, High-Frequency DrMOS Module
MODULE DRMOS 50A 300KHZ 40PQFN

封裝外殼

40-PowerTFQFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址下載地址二

更新時(shí)間

2025-8-12 23:01:00

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FDMF6707B規(guī)格書(shū)詳情

描述 Description

XS? DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動(dòng)器功率級(jí)解決方案,適用于高電流、高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用。 FDMF6707B將一個(gè)驅(qū)動(dòng)IC、兩個(gè)功率MOSFET以及一個(gè)自舉肖特基二極管集成到熱性能增強(qiáng)型超緊湊6x6mm PQFN封裝中。 通過(guò)集成驅(qū)動(dòng)器和MOSFET動(dòng)態(tài)性能、系統(tǒng)感抗和功率MOSFET RDS(ON),對(duì)整個(gè)開(kāi)關(guān)功率級(jí)進(jìn)行了優(yōu)化。 XS? DrMOS采用飛兆的高性能PowerTrench? MOSFET技術(shù),顯著地降低了開(kāi)關(guān)振鈴噪聲,從而無(wú)需在大部分降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中使用緩沖電路。 死區(qū)時(shí)間和傳播延遲縮短的新型驅(qū)動(dòng)IC進(jìn)一步增強(qiáng)了該器件的性能。 熱警告功能會(huì)發(fā)出潛在過(guò)溫情況的警告。 FDMF6707B還具有其他功能,比如:可提高輕負(fù)載效率的跳頻模式(SMOD)和兼容大量PWM控制器的三態(tài)3.3V PWM輸入。

應(yīng)用 Application

? TBA

簡(jiǎn)介

FDMF6707B屬于集成電路(IC)的全半橋驅(qū)動(dòng)器。由制造生產(chǎn)的FDMF6707B全半橋驅(qū)動(dòng)器器件屬于電橋驅(qū)動(dòng)器電源管理集成電路 (PMIC) 系列,包含兩個(gè)或多個(gè)功率晶體管,以及在外部器件控制下將其用作開(kāi)關(guān)所需的電路。這些晶體管通常在內(nèi)部配置為成對(duì)串聯(lián)連接(稱為半橋),因而任意指定晶體管對(duì)之間的結(jié)點(diǎn)都可以連接至兩個(gè)電源軌中的任一個(gè)。這類器件常用于將控制器件(如微控制器)提供的低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為操作執(zhí)行器(如步進(jìn)電機(jī)或無(wú)刷電機(jī))所需的較大功率信號(hào)。

技術(shù)參數(shù)

更多
  • 制造商編號(hào)

    :FDMF6707B

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    :?Active??

  • Description

    :?Extra-Small

  • Topology

    :?

  • Phases

    :?

  • Control Mode

    :?

  • VCC Min (V)

    :?

  • VCC Max (V)

    :?

  • fSW Typ (kHz)

    :?

  • tres Typ (ns)

    :?

  • Package Type

    :PQFN-40

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