描述 Description

XS? DrMOS系列是飛兆新一代經(jīng)全面優(yōu)化的超緊湊型集成式MOSFET加驅(qū)動器功率級解決方案，適用于高電流、高頻同步降壓DC-DC應(yīng)用。 FDMF6704 XS? DrMOS將一個驅(qū)動IC、兩個功率MOSFET和一個自舉肖特基二極管集成入一個熱增強(qiáng)、超級緊湊的6 mm x 6 mm MLP封裝中。 通過集成驅(qū)動器和MOSFET動態(tài)性能、系統(tǒng)感抗和RDS(ON)，對整個開關(guān)功率級進(jìn)行了優(yōu)化。 這極大地降低了封裝的寄生效應(yīng)和與傳統(tǒng)分立解決方案相關(guān)的布局挑戰(zhàn)。 XS? DrMOS采用飛兆的高性能PowerTrench? 5 MOSFET技術(shù)，大幅降低了同步降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的振鈴。 PowerTrench? 5可省去降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的緩沖器電路。 驅(qū)動IC具有先進(jìn)的功能，例如提高輕負(fù)載效率的SMOD和與兼容廣泛PWM控制器的三態(tài)PWM輸入。 5 V柵極驅(qū)動和提高的PCB接口針對最大低端FET裸露焊盤進(jìn)行了優(yōu)化，以確保獲得更高性能。 該產(chǎn)品兼容新的Intel 6 mm x 6 mm DrMOS規(guī)格。

特性 Features

?超緊湊型熱增強(qiáng)6 mm x 6 mm ML封裝比傳統(tǒng)分立式解決方案小84 %。
?同步驅(qū)動器加FET多芯片模塊。
?高電流處理能力：35 A。
?超過93%的峰值效率。
?三態(tài)PWM輸入。
?飛兆的PowerTrench?5技術(shù)MOSFET，可提供干凈的電壓波形并降低振鈴噪聲。
?針對最高可達(dá)1 MHz的開關(guān)頻率進(jìn)行優(yōu)化。
?跳躍模式SMOD [低端柵極關(guān)閉]輸入。
?低端MOSFET中的飛兆SyncFET? [集成式肖特基二極管]技術(shù)。
?集成自舉肖特基二極管。
?實(shí)現(xiàn)直通保護(hù)的自適應(yīng)柵極驅(qū)動時序。
?驅(qū)動器輸出禁用功能[DISB#引腳]。
?欠壓閉鎖(UVLO)。
?飛兆綠色封裝并符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)。 薄型SMD封裝。

應(yīng)用 Application

? TBA

簡介

FDMF6704屬于集成電路（IC）的全半橋驅(qū)動器。由制造生產(chǎn)的FDMF6704全半橋驅(qū)動器器件屬于電橋驅(qū)動器電源管理集成電路 (PMIC) 系列，包含兩個或多個功率晶體管，以及在外部器件控制下將其用作開關(guān)所需的電路。這些晶體管通常在內(nèi)部配置為成對串聯(lián)連接（稱為半橋），因而任意指定晶體管對之間的結(jié)點(diǎn)都可以連接至兩個電源軌中的任一個。這類器件常用于將控制器件（如微控制器）提供的低電平信號轉(zhuǎn)換為操作執(zhí)行器（如步進(jìn)電機(jī)或無刷電機(jī)）所需的較大功率信號。