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FDME910PZT

P 溝道，PowerTrench? MOSFET，-20V，-8A，24mΩ; ?VGS = -4.5 V，ID = -8 A時，最大rDS(on) = 24mΩ\n?VGS = -2.5 V，ID = -7 A時，最大rDS(on) = 31mΩ\n?VGS = -1.8 V，ID = -6 A時，最大rDS(on) = 45mΩ\n?薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封裝\n?HBM靜電放電保護等級> 2kV典型值（注3）\n?不含有鹵化合物和氧化銻\n?符合RoHS標準\n;

該器件是專為蜂窩手機和其他超便攜式應(yīng)用中的電池充電或負載開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計的。 包含一個具有低通態(tài)電阻的MOSFET和齊納二極管防靜電放電保護。 MicroFET 1.6x1.6薄型封裝雖然體積小巧，卻能提供出色的熱性能，非常適合開關(guān)和線性模式應(yīng)用。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDME910PZT

P-Channel PowerTrench? MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

G910

3.3V600mA/250mALowDropoutRegulator

GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc

致新科技

G910

3.3V400mA/250mALowDropoutRegulator

GeneralDescription TheG910/G911positive3.3Vvoltageregulatorfeaturestheabilitytosource600mA/250mA+ofoutputcurrentwithadropoutvoltageoftypically0.65V/0.25V.Alowquiescentcurrentisprovided.Thetypicalquiescentcurrentis0.3mA. Features Dropoutvoltagetypical

GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc

致新科技

GE910

GSM|GPRSEmbedded

TelitTelit loT Solutions

泰利特

GE910K

GeneralPurposeDiscCeramicCapacitors

GeneralPurposeDiscCeramicCapacitors ■GeneralPurpose ■IdealForUseinNon-criticalCoupling,BypassandFilterApplications ■ConformallyCoated ■RadialLeads GENERALSPECIFICATIONS TemperatureRange:-30°Cto+85°C VoltageRange:50,100,500,1,000,2,000,3,000WVDC Cap

MALLORYMallory Sonalert Products Inc.

馬洛里

GE910K

DiscCeramicCapacitors

-GeneralPurpose -IdealForUseinNon-critical Coupling,BypassandFilterApplications -ConformallyCoated -RadialLeads

MALLORYMallory Sonalert Products Inc.

馬洛里

GE910-QUAD

GSM|GPRSEmbedded

TelitTelit loT Solutions

泰利特

GI910

MEDIUM-SWITCHINGPLASTICRECTIFIER

FEATURES ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ?Highsurgecurrentcapability ?Constructionutilizesvoid-freemoldedplastictechnique ?Highforwardcurrentoperation ?Fastswitchingforhighefficiency ?Hightemperaturesolderingguaranteed:2

GE

GE Industrial Company

GI910

MediumSwitchingPlasticRectifier

FEATURES ?Fastswitchingforhighefficiency ?Lowforwardvoltagedrop ?Lowleakagecurrent ?Highforwardsurgecapability ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS ?

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    P-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    -20

  • VGS Max (V)：

    8

  • VGS(th) Max (V)：

    -1.5

  • ID Max (A)：

    -8

  • PD Max (W)：

    2.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：

    31

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    24

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：

    3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    15

  • Ciss Typ (pF)：

    1586

  • Package Type：

    UDFN-6

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更多FDME910PZT供應(yīng)商 更新時間2025-7-27 14:14:00

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