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FDME820NZT

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，20V，9A，18mΩ; ?VGS = 4.5V，ID = 9A時(shí)，最大rDS(on) = 18mΩ\n?VGS = 2.5 V，ID = 7.5 A時(shí)，最大rDS(on) = 24mΩ\n?VGS = 1.8 V，ID = 7 A時(shí)，最大rDS(on) = 32mΩ\n?薄型： 0.55 mm最大值，新的MicroFET 1.6x1.6薄型封裝\n?不含有鹵化合物和氧化銻\n?HBM靜電放電保護(hù)等級為>2.5kV（注3）\n?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

該單N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的Power Trench工藝設(shè)計(jì)而成，用于優(yōu)化VGS = 1.8 V時(shí)專用MicroFET引線框上的rDS(ON)。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FDME820NZT

N-Channel PowerTrench? MOSFET 20 V, 9 A, 18 m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FM820

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FM820

Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FM820-B

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FM820-B

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FM820-T

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FM820-T

ChipSchottkyBarrierDiodes-Siliconepitaxialplanertype

Siliconepitaxialplanertype Features ?PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-OUtilizingFlameRetardantEpoxyMoldingCompound. ?Forsurfacemountedapplications. ?ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 ?Lowleakagecurrent.

FORMOSAFormosa MS

美麗微半導(dǎo)體美麗微半導(dǎo)體股份有限公司

FR820

FastRecoveryRectifiers

VOLTAGERANGE:10---600V CURRENT:8.0A Features Lowcost Diffusedjunction Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability EasilycleanedwithFreon,Alcohol,Isopropanolandsimilarsolvents TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

FR820F

FastRecoveryRectifiers

LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd

魯光電子深圳市魯光電子科技有限公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free：

    Pb

  • Halide free：

    H

  • Status：

    Active

  • Channel Polarity：

    N-Channel

  • Configuration：

    Single

  • V(BR)DSS Min (V)：

    20

  • VGS Max (V)：

    12

  • VGS(th) Max (V)：

    1

  • ID Max (A)：

    9

  • PD Max (W)：

    2.1

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)：

    24

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：

    18

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：

    15

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：

    8.5

  • Ciss Typ (pF)：

    865

  • Package Type：

    UDFN-6

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ONSEMI/安森美
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UDFN-6
20300
ONSEMI/安森美原裝特價(jià)FDME820NZT即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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MicroFET(1
11318
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
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UMLP1.6X1.6
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DFN6
27460
百分百原裝正品 真實(shí)公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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更多FDME820NZT供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-29 16:33:00

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