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FDMD8240LET40

雙 N 溝道,PowerTrench? MOSFET,40V,103A,2.6mΩ; ? TJ 額定值擴展至 175°C\n? 最大 rDS(on) = 2.6 mΩ(VGS = 10 V、ID = 23 A)\n? 最大 rDS(on) = 3.95 mΩ(VGS = 4.5 V、ID = 19 A)\n?是實現(xiàn)橋式拓撲初級側(cè)靈活布局的理想選擇\n? 100% 經(jīng)過 UIL 測試\n?開爾文高側(cè) MOSFET 驅(qū)動引腳排列能力\n? 終端無引線且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n;

該器件在雙通道功率 (3.3 mm X 5 mm) 封裝中包括兩個 40V N 溝道 MOSFET。高端源極和低端漏極在內(nèi)部進行連接,用于半橋/全橋、低源極電感封裝,低 rDS(on)/Qg FOM 硅器件。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    Dual

  • V(BR)DSS Min (V):

    40

  • VGS Max (V):

    ±20

  • VGS(th) Max (V):

    3

  • ID Max (A):

    103

  • PD Max (W):

    50

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    Q1=Q2=3.95

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    Q1=Q2=2.6

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    21

  • Ciss Typ (pF):

    3020

  • Package Type:

    PQFN-12

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ON/安森美
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