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FDMC8622數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMC8622

功能描述

N 溝道,屏蔽門極,PowerTrench? MOSFET,100 V,16A,56mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-14 20:20:00

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FDMC8622規(guī)格書詳情

描述 Description

N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導體的先進 PowerTrench?工藝制造而成,該工藝集成了柵極屏蔽技術(shù)。該過程已經(jīng)過優(yōu)化,可提供優(yōu)異的 rDS(on)、開關(guān)性能和耐用性。

特性 Features

?柵極屏蔽 MOSFET 技術(shù)
?VGS = 10 V,ID = 4 A時,rDS(on) = 56 mΩ(最大值)
?VGS = 6 V,ID = 3 A時,rDS(on)= 100 mΩ(最大值)
?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的rDS(on)
?高功率和高電流處理能力,采用廣泛使用的表面貼裝封裝
?100% 經(jīng)過 UIL 測試
?終端無引線且符合RoHS標準

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMC8622

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :100

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :4

  • ID Max (A)

    :16

  • PD Max (W)

    :31

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :56

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :3

  • Ciss Typ (pF)

    :302

  • Package Type

    :WDFN-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHI
14/15+
BGAQFP
624
普通
詢價
FAI
15+
DFN
17713
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
FAIRCHILD/仙童
24+
NA/
240
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票
詢價
FAIRCHILD/仙童
25+
DFN
350
原裝正品,假一罰十!
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
FAIRCHILD
2016+
DFN
6523
只做進口原裝現(xiàn)貨!假一賠十!
詢價
ON
24+
DFN
8000
原裝,正品
詢價
ON
22+23+
DFN
8000
新到現(xiàn)貨,只做原裝進口
詢價
ON正品原裝
21+
DFN
12000
只做原裝,公司現(xiàn)貨,提供一站式BOM配單服務(wù)!
詢價
FSC
21+
DFN
951
原裝現(xiàn)貨假一賠十
詢價