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FDMC8010ET30數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMC8010ET30

功能描述

N 溝道,PowerTrench? MOSFET,30V,174A,1.3mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 23:01:00

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FDMC8010ET30規(guī)格書詳情

描述 Description

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆半導(dǎo)體先進的 Power Trench? 工藝生產(chǎn),這一先進工藝是專為最大限度地降低導(dǎo)通電阻而定制的。 此器件非常適合需要在小空間內(nèi)實現(xiàn)低rDS(on)的應(yīng)用,例如高性能VRM、POL和Oring功能。

特性 Features

?TJ額定值擴展:175°C
? 最大值 rDS(on) = 1.3 mΩ(VGS = 10 V,ID = 30 A)
? 最大值 rDS(on) = 1.8 mΩ(VGS = 4.5 V,ID = 25 A)
? 高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的 rDS(on)
?終端無引線且符合 RoHS 標準

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMC8010ET30

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :174

  • PD Max (W)

    :65

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :1.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :18

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :32

  • Ciss Typ (pF)

    :4405

  • Package Type

    :PQFN-8

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
FAIRCHILD/ON
24+
NA/
12224
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價
ON/安森美
25+
NA
860000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
三年內(nèi)
1983
只做原裝正品
詢價
ONSEMI
兩年內(nèi)
N/A
4514
原裝現(xiàn)貨,實單價格可談
詢價
onsemi(安森美)
24+
PQFNB
9908
支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。
詢價
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23+
QFN
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2022+
PQFN-8
38550
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FAIRCHILD/ON
23+
8POWER33
7000
詢價
FAIRCHILD/ON
23+
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8000
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