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FDMC7660

N 溝道，PowerTrench? MOSFET，30V，20A，2.2mΩ; ?VGS = 10V，ID = 20A時(shí)，最大rDS(on) = 2.2mΩ\n?VGS = 4.5 V，ID = 18 A時(shí)，最大rDS(on) = 3.3mΩ\n?高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的rDS(on)\n?終端是符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的無鉛產(chǎn)品\n;

此N溝道MOSFET采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench?工藝生產(chǎn)，這一先進(jìn)工藝是專為最大限度地降低通態(tài)電阻而定制的。 該器件非常適用于筆記本電腦和便攜式電池組中的電源管理和負(fù)載開關(guān)應(yīng)用。

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N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

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DUAL COOL??PACKAGE POWERTRENCH? MOSFETs

DualCool?packagingtechnology,providesbothbottom-andtop-sidecoolinginaPQFNpackage.NotonlyisthePQFNfootprintanindustrystandard,itprovidesthedesignerwithperformance?exibility.Withenhanceddualpaththermalperformanceandimprovedparasiticsoveritswire-bondedpredece

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N 溝道，雙 CoolTM 33 PowerTrench? MOSFET，30V，40A，2.2mΩ; ?Dual CoolT 頂側(cè)冷卻 PQFN 封裝\n?最大 rDS(on) = 2.2 mΩ（VGS = 10 V、ID = 22 A）\n?VGS = 4.5 V，ID = 18 A時(shí)，Max rDS(on) = 3.3 mΩ\n?極低 rDS(on)的高性能技術(shù)\n?終端是符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)的無鉛產(chǎn)品\n;

此 N 溝道 MOSFET 采用飛兆先進(jìn)的 PowerTrench? 工藝生產(chǎn)。先進(jìn)的硅技術(shù)和 Dual CoolTM 封裝技術(shù)完美融合，可在提供最小 rDS(on)的同時(shí)通過極低的結(jié)至環(huán)境熱阻保持卓越的開關(guān)性能。

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N 溝道，Power Trench? SyncFET?，30V，20A，2.2mΩ; ? 最大值 rDS(on)=2.2 mΩ（需 VGS=10 V、ID=20 A\n? 最大值 rDS(on)=2.95 mΩ（需 VGS=4.5 V、ID=18 A\n?高性能技術(shù)可實(shí)現(xiàn)極低的 rDS(on)\n?終端無引線且符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)\n;

FDMC7660S設(shè)計(jì)用于最大限度地降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 先進(jìn)的硅和封裝技術(shù)完美融合，在保持卓越開關(guān)性能的同時(shí)，提供了最低的 rDS(on)。 該器件具有高效單片肖特基體二極管的新增優(yōu)點(diǎn)。

FDMC7660S

N-Channel Power Trench? SyncFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓

GeneralDescription TheFDMC7660Shasbeendesignedtominimizelossesinpowerconversionapplications.AdvancementsinbothsiliconandpackagetechnologieshavebeencombinedtoofferthelowestrDS(on)whilemaintainingexcellentswitchingperformance.Thisdevicehastheaddedbenefitofan

FDMC7660_12

N-Channel PowerTrench? MOSFET 30 V, 20 A, 2.2 m廓