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FDMC6675BZ

P 溝道 Power Trench? MOSFET -30V,-20A,14.4mΩ; ?VGS = -10 V,ID = -9.5 A時,最大rDS(on) = 14.4mΩ\n?VGS = -4.5 V,ID = -6.9 A時,最大rDS(on) = 27.0mΩ\n?HBM ESD保護等級典型值為8kV(注3)\n?擴展VGSS范圍(-25 V),適合電池應用\n?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的RDS(on)\n?高功率和高電流處理能力\n?終端無引線且符合RoHS標準\n;

FDMC6675BZ已針對在負載開關應用中損耗最小化進行了設計。 先進的硅技術和封裝技術完美融合,提供了最低rDS(on)和ESD保護。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDMC6675BZ

P-Channel Power Trench? MOSFET -30 V, -20 A, 14.4 m廓

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDMC6675BZ-T

包裝:卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別:分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個 描述:INTEGRATED CIRCUIT

ONSEMION Semiconductor

安森美半導體安森美半導體公司

FDS6675

-30VP-ChannelMOSFET

Features (VGS=-10V) VDS(V)=-30V ID=-11A RDS(ON)

UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

友臺半導體廣東友臺半導體有限公司

FDS6675

SingleP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDS6675

SingleP-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDS6675A

30VP-ChannelPowerTrenchMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDS6675BZ

P-ChannelPowerTrench?MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDS6675BZ

P-ChannelPowerTrenchMOSFET-30V,-11A,13mOhm

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDS6675BZ-NL

P-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

技術參數(shù)

  • Pb-free:

    Pb

  • Halide free:

    H

  • Status:

    Active

  • Channel Polarity:

    P-Channel

  • Configuration:

    Single

  • V(BR)DSS Min (V):

    -30

  • VGS Max (V):

    25

  • VGS(th) Max (V):

    -3

  • ID Max (A):

    -20

  • PD Max (W):

    36

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ):

    27

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    14.4

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC):

    87

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    26

  • Ciss Typ (pF):

    2154

  • Package Type:

    WDFN-8

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
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DFN8
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FAIRCHILD/仙童原裝正品FDMC6675BZ即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有貨
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更多FDMC6675BZ供應商 更新時間2025-7-27 14:14:00