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FDMC5614P數(shù)據(jù)手冊ONSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDMC5614P

功能描述

P 溝道 Power Trench? MOSFET -60V,-13.5A,100mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導體 安森美半導體公司

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-8-14 23:00:00

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FDMC5614P規(guī)格書詳情

描述 Description

此P溝道MOSFET是采用Fairchild先進的PowerTrench工藝生產的穩(wěn)固柵極版本。 已針對要求大范圍柵極驅動電壓額定值(4.5V-20V)的電源管理應用進行了優(yōu)化。

特性 Features

?VGS= -10 V,ID = -5.7A時,最大rDS(on) = 100mΩ
?VGS = -4.5 V,ID = -4.4A時,最大rDS(on) = 135mΩ
?低柵極電荷
?快速開關速度
?高性能溝道技術可實現(xiàn)極低的 rDS(on)
?高功率和高電流處理能力
?符合 RoHS 標準

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDMC5614P

  • 生產廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :P-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :-60

  • VGS Max (V)

    :±20

  • VGS(th) Max (V)

    :-3

  • ID Max (A)

    :-13.5

  • PD Max (W)

    :42

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :135

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :100

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :37

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :15

  • Ciss Typ (pF)

    :795

  • Package Type

    :WDFN-8

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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