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FDG6321C

Dual N & P Channel Digital FET

GeneralDescription ThesedualN&P-ChannellogiclevelenhancementmodefieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thisdevicehasbeendesigne

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FDG6321C

N- and P- Channel 20 V (D-S) MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體(臺灣)有限公司

HCZ-6321

2MP32xAHDZoomCamera

?Max.2MPresolution ?Min.Illumination0.2Lux@F1.6(Color),0.01Lux@F1.6(B/W) ?4.44~142.6mm(32x)opticalzoom,16xdigitalzoom ?DigitalPTZ ?Day&Night(AutoICR),WDR(120dB) ?Detection,Tracking,FixedMoved,Tamperingsupport

HANWHAVISIONHanwha Vision Co., Ltd. All rights Reserved.

韓華韓華集團

HD6321

PIA(PeripheralInterfaceAdapter)

HitachiHitachi Semiconductor

日立日立公司

HL6321G

AlGaInPLaserDiodes

OPNEXT

Opnext. Inc.

LM6321

HighSpeedBuffer

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LM6321

HighSpeedBuffer

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LM6321M

HighSpeedBuffer

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LM6321M

HighSpeedBuffer

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

LM6321N

HighSpeedBuffer

NSCNational Semiconductor (TI)

美國國家半導體美國國家半導體公司

詳細參數(shù)

  • 型號:

    FDG6321C

  • 功能描述:

    MOSFET SC70-6 COMP N-P-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
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原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.
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更多FDG6321C供應商 更新時間2025-7-16 18:03:00