描述 Description

這些P溝道邏輯電平增強模式功率場效應晶體管采用飛兆專有的高密度、DMOS技術生產(chǎn)。 這種密度非常高的工藝是專為最大限度地降低導通阻抗而定制的。 該器件特別為低電壓應用設計，以替代雙極數(shù)字晶體管和小信號MOSFETS。

特性 Features

?-25 V、-0.41 A（連續(xù)值）、-1.5 A（峰值）。
?RDS(ON) = 1.1 Ω @ VGS = 4.5 V，
?RDS(ON) = 1.5 Ω @ VGS= -2.7 V。
?電平柵極驅動要求極低，從而可在3V電路中直接運行(VGS(th)< 1.5 V)。
?柵-源齊納二極管增強耐靜電放電(ESD)能力（>6kV人體模型）。
?緊湊的工業(yè)標準SC70-6表面貼裝封裝。

應用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

簡介

FDG6304P屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-陣列。由制造生產(chǎn)的FDG6304P晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動的電子器件。向柵極端子施加電壓會改變漏極端子和源極端子之間的電導率。FET 也稱為單極型晶體管，因為其涉及單載流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時使用兩者。場效應晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。