FDG327N中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
FDG327N |
| 功能描述 | 20V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 文件大小 |
79.82 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
5 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | FAIRCHILD Fairchild Semiconductor |
| 中文名稱(chēng) | 仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 |
| 網(wǎng)址 | |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-9-1 10:20:00 |
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FDG327N規(guī)格書(shū)詳情
General Description
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package.
特性 Features
? 1.5 A, 20 V. RDS(ON) = 90 mΩ @ VGS = 4.5 V. RDS(ON) = 100 mΩ @ VGS = 2.5 V RDS(ON) = 140 mΩ @ VGS = 1.8 V
? Fast switching speed
? Low gate charge (4.5 nC typical)
? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)
? High power and current handling capability.
Applications
? DC/DC converter
? Power management
? Load switch
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
FDG327N
- 功能描述：
MOSFET 20V N-Ch PowerTrench
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶體管極性：
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓：
650 V
- 閘/源擊穿電壓：
25 V
- 漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
- RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安裝風(fēng)格：
Through Hole
- 封裝/箱體：
Max247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
F |
24+ |
US6 |
5000 |
全現(xiàn)原裝公司現(xiàn)貨 |
詢(xún)價(jià) | ||
Fairchild |
1930+ |
N/A |
89 |
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詢(xún)價(jià) | ||
ON/安森美 |
2410+ |
SOT-323-6 |
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詢(xún)價(jià) | ||
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詢(xún)價(jià) | ||
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詢(xún)價(jià) | ||
Fairchild |
22+ |
NA |
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詢(xún)價(jià) | ||
FSC |
24+ |
SC-70 |
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24+ |
NA |
3000 |
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詢(xún)價(jià) |
