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FDD8896數(shù)據(jù)手冊O(shè)NSEMI中文資料規(guī)格書

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廠商型號

FDD8896

功能描述

N 溝道,PowerTrench? MOSFET, 30V,94A,4.7mΩ

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名稱

安森美半導(dǎo)體 安森美半導(dǎo)體公司

數(shù)據(jù)手冊

下載地址下載地址二

更新時間

2025-8-13 22:58:00

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FDD8896規(guī)格書詳情

描述 Description

此N溝道MOSFET是專為使用同步或傳統(tǒng)開關(guān)PWM控制器來改進(jìn)DC/DC轉(zhuǎn)換器整體功效而設(shè)計的。 已針對低柵極電荷、低rDS(ON) 和高速開關(guān)進(jìn)行了優(yōu)化。

特性 Features

?RDS(ON) = 5.7 mΩ, VGS = 10V, ID = 35V
?RDS(ON) = 6.8 mΩ, VGS = 4.5V, ID = 35V
?高性能溝道技術(shù)可實現(xiàn)極低的RDS(ON)
?低柵極電荷
?高功率和高電流處理能力

應(yīng)用 Application

? This product is general usage and suitable for many different applications.

技術(shù)參數(shù)

  • 制造商編號

    :FDD8896

  • 生產(chǎn)廠家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :30

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.5

  • ID Max (A)

    :94

  • PD Max (W)

    :80

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :6.8

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :5.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :-

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :24

  • Ciss Typ (pF)

    :2525

  • Package Type

    :DPAK-3/TO-252-3

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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