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FDD86113中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

廠商型號(hào) |
FDD86113 |
功能描述 | 100V N-Channel MOSFET |
文件大小 |
454.31 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
6 頁 |
生產(chǎn)廠商 | UMW Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. |
中文名稱 | 友臺(tái)半導(dǎo)體 廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司 |
網(wǎng)址 | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-8-16 19:14:00 |
人工找貨 | FDD86113價(jià)格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
FDD86113規(guī)格書詳情
特性 Features
Shielded Gate MOSFET Technology
HBM ESD protection level > 6 kV typical (Note 4)
High performance trench technology for extremely low RDS(on)
High power and current handling capability in a widely used
surface mount package
VDS =100V
ID(at VGS=10V)4.2A
RDS(ON) (at VGS=10V) < 104mΩ
RDS(ON)(at VGS = 4.5V) < 156mΩ
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
FDD86113
- 功能描述:
MOSFET 100/20V PT5 N-Chan PowerTrench MOSFET
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
24+ |
原廠原封 |
6523 |
進(jìn)口原裝公司百分百現(xiàn)貨可出樣品 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO252 |
990000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
24+ |
DPAK-3 / TO-252-3 |
25000 |
ON全系列可訂貨 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
20+ |
SOT252 |
2500 |
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
1822+ |
TO-252 |
9852 |
只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!! |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
25+23+ |
TO252 |
13823 |
絕對(duì)原裝正品全新進(jìn)口深圳現(xiàn)貨 |
詢價(jià) | ||
ON |
23+ |
TO-252-3 |
200 |
正規(guī)渠道,只有原裝! |
詢價(jià) | ||
三年內(nèi) |
1983 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||||
FAIRCHI |
25+ |
TO-252 |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價(jià) | ||
FAIRCHILD |
20+ |
TO-252 |
63258 |
原裝優(yōu)勢(shì)主營型號(hào)-可開原型號(hào)增稅票 |
詢價(jià) |