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FDD6680中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FDD6680
廠商型號(hào)

FDD6680

功能描述

30V N-Channel PowerTrench MOSFET

文件大小

121.05 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

Fairchild Fairchild Semiconductor

中文名稱

仙童半導(dǎo)體 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

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更新時(shí)間

2025-9-7 23:01:00

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FDD6680規(guī)格書(shū)詳情

General Description

This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

特性 Features

? 46 A, 30 V RDS(ON) = 10 mΩ @ VGS = 10 V RDS(ON) = 15 mΩ @ VGS = 4.5 V

? Low gate charge

? Fast Switching Speed

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

Applications

? DC/DC converter

? Motor Drives

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDD6680

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Ch PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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