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FDD6637中文資料友臺半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDD6637
廠商型號

FDD6637

功能描述

-30V P-Channel MOSFET

絲印標識

FDD6637

封裝外殼

TO-252

文件大小

417.43 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商

UMW Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.

中文名稱

友臺半導(dǎo)體 廣東友臺半導(dǎo)體有限公司

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-9-6 12:00:00

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FDD6637規(guī)格書詳情

特性 Features

RDS(ON) =11.6mW(VGS =-10 V)

RDS(ON) =18mW(VGS =-4.5 V)

High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

RoHS Compliant

VDSS = -30V

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDD6637

  • 功能描述:

    MOSFET 35V PCH PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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