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FDD5N50FTM	文件：758.53 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET, FRFET Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD5N50FTM-WS	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：卷帶（TR）類別：分立半導體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個描述：MOSFET N-CH 500V 3.5A DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
FDD5N50NZ	文件：519.9 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,4A,1.5? Description UniFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravala	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD5N50NZF	文件：304.59 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,3.7A,1.75廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD5N50NZFTM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD5N50NZFTM	文件：304.59 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,3.7A,1.75廓 Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancetechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD5N50NZTM	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD5N50NZTM	文件：519.9 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET500V,4A,1.5? Description UniFET?IIMOSFETisFairchildSemiconductor?’shighvoltageMOSFETfamilybasedonadvancedplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETfamilyhasthesmalleston-stateresistanceamongtheplanarMOSFET,andalsoprovidessuperiorswitchingperformanceandhigheravala	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD5N50U	文件：641.19 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET,FRFET500V,3A,2.0廓 Description UniFETTMMOSFETisFairchildSemiconductor?shighvoltageMOSFETfamilybasedonplanarstripeandDMOStechnology.ThisMOSFETistailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidebetterswitchingperformanceandhigheravalancheenergystrength. Features ?RDS(on)=1	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
FDD5N50U	文件：298.06 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max) DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC

詳細參數(shù)

型號：
FDD5N50FTM
功能描述：
MOSFET UniFET 500V 3.5A
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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