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FDD4685中文資料臺(tái)舟電子數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDD4685
廠商型號(hào)

FDD4685

功能描述

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

40P30

封裝外殼

TO-252-3L

文件大小

3.39002 Mbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商

TECHPUBLIC

中文名稱

臺(tái)舟電子

網(wǎng)址

網(wǎng)址

數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-8-16 23:00:00

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FDD4685規(guī)格書詳情

特性 Features

Vos=-40V ID=-30 A

RDS(ON)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDD4685

  • 功能描述:

    MOSFET -40V P-Channel PowerTrench MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道??珊灡9┖贤?/div>
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